Производитель Номер продукта:
NTD3813N-35G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTD3813N-35G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK
Подробное описание:
N-Channel 16 V 9.6A (Ta), 51A (Tc) 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) Through Hole IPAK
Инвентаризация:
12856765
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTD3813N-35G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
16 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.6A (Ta), 51A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.75mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12.8 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
963 pF @ 12 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.2W (Ta), 34.9W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
IPAK
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Базовый номер продукта
NTD38
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
2156-NTD3813N-35G-ON
ONSONSNTD3813N-35G
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NVMTS0D7N06CLTXG
AFSM T6 60V LL NCH
NVMFS5C682NLWFT1G
MOSFET N-CH 60V 5DFN
NDD60N550U1T4G
MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK
