NTD3813NT4G
Производитель Номер продукта:

NTD3813NT4G

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

NTD3813NT4G-DG

Описание:

MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 16 V 9.6A (Ta), 51A (Tc) 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) Surface Mount DPAK

Инвентаризация:

12855962
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

NTD3813NT4G Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
16 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.6A (Ta), 51A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.75mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12.8 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
963 pF @ 12 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.2W (Ta), 34.9W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DPAK
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
NTD38

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
2156-NTD3813NT4G-ONTR
ONSONSNTD3813NT4G

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
renesas-electronics-america

NP80N06MLG-S18-AY

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

renesas-electronics-america

NP90N04MUK-S18-AY

MOSFET N-CH 40V 90A TO220

onsemi

NTNS3166NZT5G

MOSFET N-CH 20V 0.361A SOT883

onsemi

NTD4965N-35G

MOSFET N-CH 30V 13A/68A IPAK