Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
NTD4806N-1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTD4806N-1G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Подробное описание:
N-Channel 30 V 11.3A (Ta), 79A (Tc) 1.4W (Ta), 68W (Tc) Through Hole I-PAK
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12857028
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTD4806N-1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11.3A (Ta), 79A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 11.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2142 pF @ 12 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.4W (Ta), 68W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I-PAK
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
NTD48
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
NTD4806N-1G
HTML Спецификация
NTD4806N-1G-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
ONSONSNTD4806N-1G
2156-NTD4806N-1G-ON
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPD060N03LGATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1354
Номер части
IPD060N03LGATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.33
Тип замещения
Similar
Номер детали
IRFR3709ZTRPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
11441
Номер части
IRFR3709ZTRPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.30
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTMFS4849NT1G
MOSFET N-CH 30V 10.2A/71A 5DFN
NTTFS4H05NTAG
MOSFET N-CH 25V 22.4A/94A 8WDFN
NVD6415ANT4G
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
NVD5802NT4G-TB01
MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK