NTD4806N-35G
Производитель Номер продукта:

NTD4806N-35G

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

NTD4806N-35G-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Подробное описание:
N-Channel 30 V 11.3A (Ta), 79A (Tc) 1.4W (Ta), 68W (Tc) Through Hole I-Pak

Инвентаризация:

12857683
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

NTD4806N-35G Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11.3A (Ta), 79A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 11.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2142 pF @ 12 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.4W (Ta), 68W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I-PAK
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Базовый номер продукта
NTD48

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
75
Другие названия
ONSONSNTD4806N-35G
2156-NTD4806N-35G-ON

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

NTP27N06

MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB

onsemi

NVD5C460NLT4G

MOSFET N-CH 40V 18A/73A DPAK

onsemi

NTMS4935NR2G

MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC

onsemi

NTTFS4H05NTWG

MOSFET N-CH 25V 22.4A/94A 8WDFN