NTD4970N-35G
Производитель Номер продукта:

NTD4970N-35G

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

NTD4970N-35G-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 8.5A/36A IPAK
Подробное описание:
N-Channel 30 V 8.5A (Ta), 36A (Tc) 1.38W (Ta), 24.6W (Tc) Through Hole I-Pak

Инвентаризация:

12856048
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

NTD4970N-35G Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.5A (Ta), 36A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.2 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
774 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.38W (Ta), 24.6W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I-PAK
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Базовый номер продукта
NTD4970

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
75
Другие названия
2156-NTD4970N-35G-OS
ONSONSNTD4970N-35G
2832-NTD4970N-35G
NTD4970N-35GOS
NTD4970N-35G-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
renesas-electronics-america

UPA2737GR-E1-AT

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP

onsemi

NTR4501NT3

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3

onsemi

MMSF3P02HDR2G

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC

onsemi

NTNS5K0P021ZTCG

MOSFET P-CH 20V 127MA 3XDFN