Производитель Номер продукта:
NTE4151PT1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTE4151PT1G-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Подробное описание:
P-Channel 20 V 760mA (Tj) 313mW (Tj) Surface Mount SC-89-3
Инвентаризация:
26703 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12847099
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTE4151PT1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
760mA (Tj)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
360mOhm @ 350mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
2.1 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±6V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
156 pF @ 5 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
313mW (Tj)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SC-89-3
Упаковка / Чехол
SC-89, SOT-490
Базовый номер продукта
NTE4151
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
2156-NTE4151PT1G-OS
ONSONSNTE4151PT1G
NTE4151PT1GOSCT
NTE4151PT1GOSDKR
NTE4151PT1GOSTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTTFS4C65NTWG
MOSFET N-CH 30V 27A 8WDFN
FDMS4D0N12C
MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
HUFA75339S3ST
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
