Производитель Номер продукта:
NTGD4167CT1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTGD4167CT1G-DG
Описание:
MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP
Подробное описание:
Mosfet Array 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP
Инвентаризация:
928248 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12857549
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTGD4167CT1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
N and P-Channel
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.6A, 1.9A
Rds On (макс.) @ id, vgs
90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.5nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
295pF @ 15V
Мощность - Макс
900mW
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Комплект устройства поставщика
6-TSOP
Базовый номер продукта
NTGD4167
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
NTGD4167CT1GOSDKR
2156-NTGD4167CT1G-OS
NTGD4167CT1GOSTR
Q13728537
2832-NTGD4167CT1GTR
NTGD4167CT1G-DG
NTGD4167CT1GOSCT
ONSONSNTGD4167CT1G
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTLUD3A50PZTAG
MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN
NVMFD5483NLWFT3G
MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
NVTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88