Производитель Номер продукта:
NTGS1135PT1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTGS1135PT1G-DG
Описание:
MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP
Подробное описание:
P-Channel 8 V 4.6A (Ta) 970mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Инвентаризация:
12858154
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTGS1135PT1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
8 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.2V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
31mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
850mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
21 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±6V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2200 pF @ 6 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
970mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-TSOP
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Базовый номер продукта
NTGS11
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
2156-NTGS1135PT1G-ONTR
ONSONSNTGS1135PT1G
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPS60R800CEAKMA1
CONSUMER
NTP75N03-6G
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
NVMFS5C468NLT3G
MOSFET N-CH 40V 5DFN