Производитель Номер продукта:
NTH4LN095N65S3H
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTH4LN095N65S3H-DG
Описание:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Подробное описание:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-4
Инвентаризация:
12950505
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTH4LN095N65S3H Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tube
Серия
SuperFET® III
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
95mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 2.8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2833 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
208W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-4
Упаковка / Чехол
TO-247-4
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
488-NTH4LN095N65S3H
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXFH60N65X2-4
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
33
Номер части
IXFH60N65X2-4-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
7.36
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTMFS1D7N03CGT1G
MOSFET, POWER, 30V N-CHANNEL, SO
NTMFS005N10MCLT1G
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
NVMFS5C420NLWFT1G
POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,