Производитель Номер продукта:
NTHL022N120M3S
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTHL022N120M3S-DG
Описание:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 68A (Tc) 352W (Tc) Through Hole TO-247-3
Инвентаризация:
187 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13376046
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTHL022N120M3S Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tube
Серия
-
Упаковка
Tube
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
68A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
30mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.4V @ 20mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
139 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+22V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3130 pF @ 800 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
352W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
450
Другие названия
488-NTHL022N120M3S-ND
5556-NTHL022N120M3S
488-NTHL022N120M3S
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN52D0U-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
DMTH45M5SFVW-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
DMP31D7LWQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R