Производитель Номер продукта:
NTHL025N065SC1
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTHL025N065SC1-DG
Описание:
SIC MOS TO247-3L 650V
Подробное описание:
N-Channel 650 V 99A (Tc) 348W (Tc) Through Hole TO-247-3
Инвентаризация:
208 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12986941
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTHL025N065SC1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
99A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V, 18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
28.5mOhm @ 45A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.3V @ 15.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
164 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+22V, -8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3480 pF @ 325 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
348W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
450
Другие названия
488-NTHL025N065SC1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTTFS6H860NTAG
TRENCH 8 80V NFET
SIR184LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
DMT67M8LSS-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
