Производитель Номер продукта:
NTHS2101PT1
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTHS2101PT1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
Подробное описание:
P-Channel 8 V 5.4A (Tj) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™
Инвентаризация:
12844776
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTHS2101PT1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
8 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.4A (Tj)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2400 pF @ 6.4 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.3W (Ta)
Рабочая температура
-
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
ChipFET™
Упаковка / Чехол
8-SMD, Flat Lead
Базовый номер продукта
NTHS21
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
2156-NTHS2101PT1-ONTR
ONSONSNTHS2101PT1
NTHS2101PT1OS
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTB30N06LT4G
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
AONX36372
MOSFET N-CH ASYMMETRIC
NVMFS4C302NWFT1G
MOSFET N-CH 30V 43A/241A 5DFN
