NTJD4105CT1G
Производитель Номер продукта:

NTJD4105CT1G

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

NTJD4105CT1G-DG

Описание:

MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Подробное описание:
Mosfet Array 20V, 8V 630mA, 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Инвентаризация:

22900 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12840950
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

NTJD4105CT1G Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
N and P-Channel
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V, 8V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
630mA, 775mA
Rds On (макс.) @ id, vgs
375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
46pF @ 20V
Мощность - Макс
270mW
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
SC-88/SC70-6/SOT-363
Базовый номер продукта
NTJD4105

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
NTJD4105CT1GOS
NTJD4105CT1GOSTR
NTJD4105CT1GOSDKR
ONSONSNTJD4105CT1G
NTJD4105CT1GOSCT
NTJD4105CT1GOS-DG
2156-NTJD4105CT1G-OS

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

BSO615CT

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8DSO

powerex

QJD1210SB1

SIC 1200V 10A MOD

onsemi

NTHD2102PT1G

MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET

powerex

QJD1210SA1

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE