Производитель Номер продукта:
NTJS3151PT1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTJS3151PT1G-DG
Описание:
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Подробное описание:
P-Channel 12 V 2.7A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Инвентаризация:
10336 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12842567
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTJS3151PT1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.6 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
850 pF @ 12 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
625mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SC-88/SC70-6/SOT-363
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Базовый номер продукта
NTJS3151
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
NTJS3151PT1GOSDKR
NTJS3151PT1GOSTR
2156-NTJS3151PT1G-488
NTJS3151PT1GOSCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NVMFS5C646NLWFAFT3G
MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN
NTMTS0D7N06CTXG
MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
NTHS5404T1G
MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET