Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
NTLJD2105LTBG
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTLJD2105LTBG-DG
Описание:
MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6WDFN
Подробное описание:
Mosfet Array 8V 2.5A 520mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12858002
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTLJD2105LTBG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
N and P-Channel
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
8V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.5A
Rds On (макс.) @ id, vgs
50mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
-
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
-
Мощность - Макс
520mW
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-WDFN Exposed Pad
Комплект устройства поставщика
6-WDFN (2x2)
Базовый номер продукта
NTLJD21
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
NTLJD2105LTBG
HTML Спецификация
NTLJD2105LTBG-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
2156-NTLJD2105LTBG
ONSONSNTLJD2105LTBG
2156-NTLJD2105LTBG-ONTR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
NTJD1155LT1G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
141507
Номер части
NTJD1155LT1G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.13
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NVJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
NTMD6601NR2G
MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
UPA1952TE-T1-A
MOSFET 2P-CH 20V 2A SC95
NVMFD5C446NWFT1G
MOSFET 2N-CH 40V 24A/127A 8DFN