Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
NTMFD0D9N02P1E
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTMFD0D9N02P1E-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V/25V 14A 8PQFN
Подробное описание:
Mosfet Array 30V, 25V 14A (Ta), 30A (Ta) 960mW (Ta), 1.04W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12989527
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTMFD0D9N02P1E Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V, 25V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
14A (Ta), 30A (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
3mOhm @ 20A, 10V, 0.72mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 340µA, 2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9nC, 30nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V
Мощность - Макс
960mW (Ta), 1.04W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerWDFN
Комплект устройства поставщика
8-PQFN (5x6)
Базовый номер продукта
NTMFD0D9
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
NTMFD0D9N02P1E
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
488-NTMFD0D9N02P1ETR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFI4020H-117PXKMA1
MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO220-5
TSM2N7002AKDCU6 RFG
MOSFET 2N-CH 60V 0.22A SOT363
BUK7V4R2-40HX
MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D
SQ4917CEY-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC