Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
NTMFD5C650NLT1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTMFD5C650NLT1G-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN
Подробное описание:
Mosfet Array 60V 21A (Ta), 111A (Tc) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12842321
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTMFD5C650NLT1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 98µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
37nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2546pF @ 25V
Мощность - Макс
3.5W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Комплект устройства поставщика
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Базовый номер продукта
NTMFD5
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
NTMFD5C650NLT1G
HTML Спецификация
NTMFD5C650NLT1G-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,500
Другие названия
488-NTMFD5C650NLT1GTR
488-NTMFD5C650NLT1GDKR
488-NTMFD5C650NLT1GCT
NTMFD5C650NLT1G-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTGD3133PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
2N7002DW L6327
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
NTZD3155CT2G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
NVMFD5877NLT3G
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN