Производитель Номер продукта:
NTMFS4825NFET1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTMFS4825NFET1G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
Подробное описание:
N-Channel 30 V 17A (Ta), 171A (Tc) 950mW (Ta), 96.2W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Инвентаризация:
12930602
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTMFS4825NFET1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17A (Ta), 171A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
40.2 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5660 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN, 5 Leads
Базовый номер продукта
NTMFS4
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,500
Другие названия
NTMFS4825NFET1GOSDKR
2156-NTMFS4825NFET1G-ONTR-DG
ONSONSNTMFS4825NFET1G
NTMFS4825NFET1GOSCT
NTMFS4825NFET1GOSTR
2156-NTMFS4825NFET1G
NTMFS4825NFET1G-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQPF2NA90
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220F
AO3418L
MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
FDP18N20F
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
