Производитель Номер продукта:
NTMFS4C09NBT1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTMFS4C09NBT1G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V SO8FL
Подробное описание:
N-Channel 30 V 9A (Ta), 52A (Tc) 760mW (Ta), 25.5W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Инвентаризация:
1436 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12842194
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTMFS4C09NBT1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Серия
-
Статус продукта
Last Time Buy
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Ta), 52A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10.9 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1252 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
760mW (Ta), 25.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN, 5 Leads
Базовый номер продукта
NTMFS4
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,500
Другие названия
NTMFS4C09NBT1G-DG
488-NTMFS4C09NBT1GCT
488-NTMFS4C09NBT1GDKR
488-NTMFS4C09NBT1GTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTD4302T4G
MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
NVD5867NLT4G-TB01
MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK-3
NTGS4111PT1G
MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
