Производитель Номер продукта:
NTMFS4C10NBT1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTMFS4C10NBT1G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 16.4A/46A 5DFN
Подробное описание:
N-Channel 30 V 16.4A (Ta), 46A (Tc) 2.51W (Ta), 23.6W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Инвентаризация:
12842656
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTMFS4C10NBT1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Серия
-
Статус продукта
Last Time Buy
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16.4A (Ta), 46A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.95mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18.6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
987 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.51W (Ta), 23.6W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN, 5 Leads
Базовый номер продукта
NTMFS4
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,500
Другие названия
488-NTMFS4C10NBT1GTR
488-NTMFS4C10NBT1GCT
488-NTMFS4C10NBT1GDKR
2832-NTMFS4C10NBT1GTR
NTMFS4C10NBT1G-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTD12N10-1G
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
AUIRFS3107-7P
MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
NDD01N60T4G
MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK
