Производитель Номер продукта:
NTMJS0D9N03CGTWG
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTMJS0D9N03CGTWG-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V LFPAK8
Подробное описание:
N-Channel 30 V 50A (Ta), 315A (Tc) 3.9W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
Инвентаризация:
12972780
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTMJS0D9N03CGTWG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Ta), 315A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
0.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
131.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
9550 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.9W (Ta), 150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-LFPAK
Упаковка / Чехол
SOT-1205, 8-LFPAK56
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
488-NTMJS0D9N03CGTWGTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PJQ5476AL_R2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
PJW7N06A_R2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
IRF640PBF-BE3
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
