Производитель Номер продукта:
NTMT090N65S3HF
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTMT090N65S3HF-DG
Описание:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Подробное описание:
N-Channel 650 V 36A (Tc) 272W (Tc) Surface Mount 4-PQFN (8x8)
Инвентаризация:
12990357
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTMT090N65S3HF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
SuperFET® III, FRFET®
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
90mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 860µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2930 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
272W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-PQFN (8x8)
Упаковка / Чехол
4-PowerTSFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
488-NTMT090N65S3HFDKR
488-NTMT090N65S3HFTR
488-NTMT090N65S3HFCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
S2M0080120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
TK3A90E,S4X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
ICE15N60W
Superjunction MOSFET
