Производитель Номер продукта:
NTMT125N65S3H
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTMT125N65S3H-DG
Описание:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Подробное описание:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 171W (Tc) Surface Mount 4-TDFN (8x8)
Инвентаризация:
3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12964910
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTMT125N65S3H Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
SuperFET® III
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
125mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 2.1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2200 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
171W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-TDFN (8x8)
Упаковка / Чехол
4-PowerTSFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
488-NTMT125N65S3HTR
488-NTMT125N65S3HDKR
488-NTMT125N65S3HCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTBGS004N10G
POWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS
PJA3456E_R1_00001
SOT-23, MOSFET
PJA3441_R1_00001
SOT-23, MOSFET
