NTMYS1D2N04CLTWG
Производитель Номер продукта:

NTMYS1D2N04CLTWG

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

NTMYS1D2N04CLTWG-DG

Описание:

MOSFET N-CH 40V 44A/258A LFPAK4
Подробное описание:
N-Channel 40 V 44A (Ta), 258A (Tc) 3.9W (Ta), 134W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)

Инвентаризация:

12859893
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

NTMYS1D2N04CLTWG Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
44A (Ta), 258A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 180µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
109 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6330 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.9W (Ta), 134W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
LFPAK4 (5x6)
Упаковка / Чехол
SOT-1023, 4-LFPAK
Базовый номер продукта
NTMYS1

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
NTMYS1D2N04CLTWGOSCT
2832-NTMYS1D2N04CLTWG
NTMYS1D2N04CLTWGOSTR
NTMYS1D2N04CLTWGOSDKR
NTMYS1D2N04CLTWG-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

NTD3055-150-1G

MOSFET N-CH 60V 9A IPAK

renesas-electronics-america

NP180N04TUK-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

onsemi

NTD80N02

MOSFET N-CH 24V 80A DPAK

renesas-electronics-america

NP60N04MUG-S18-AY

MOSFET N-CH 40V 60A TO220