Производитель Номер продукта:
NTMYS2D2N06CLTWG
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTMYS2D2N06CLTWG-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4
Подробное описание:
N-Channel 60 V 31A (Ta), 185A (Tc) 3.9W (Ta), 134W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Инвентаризация:
12857226
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTMYS2D2N06CLTWG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
31A (Ta), 185A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 180µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4850 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.9W (Ta), 134W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
LFPAK4 (5x6)
Упаковка / Чехол
SOT-1023, 4-LFPAK
Базовый номер продукта
NTMYS2
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
2832-NTMYS2D2N06CLTWGTR
NTMYS2D2N06CLTWG-DG
488-NTMYS2D2N06CLTWGTR
488-NTMYS2D2N06CLTWGDKR
488-NTMYS2D2N06CLTWGCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTLJS3113PTAG
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
NVATS4A101PZT4G
MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK
NTMFS4935NCT3G
MOSFET N-CH 30V 13A/93A 5DFN
