Производитель Номер продукта:
NTNS3A65PZT5GHW
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTNS3A65PZT5GHW-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
Подробное описание:
P-Channel 20 V 281mA (Ta) 155mW (Ta) Surface Mount SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Инвентаризация:
12972312
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTNS3A65PZT5GHW Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
281mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.1 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
44 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
155mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Упаковка / Чехол
3-XFDFN
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
2832-NTNS3A65PZT5GHW
488-NTNS3A65PZT5GHWTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
OBSOLETE
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PJD25N06A-AU_L2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD50P04-AU_L2_000A1
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ5445-AU_R2_000A1
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
