Производитель Номер продукта:
NTTFS5116PLTWG
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTTFS5116PLTWG-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Подробное описание:
P-Channel 60 V 5.7A (Ta) 3.2W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Инвентаризация:
6635 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12845077
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTTFS5116PLTWG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
52mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1258 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.2W (Ta), 40W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-WDFN (3.3x3.3)
Упаковка / Чехол
8-PowerWDFN
Базовый номер продукта
NTTFS5116
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
NTTFS5116PLTWGOSCT
NTTFS5116PLTWG-DG
NTTFS5116PLTWGOSTR
NTTFS5116PLTWGOSDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTD3808NT4G
MOSFET N-CH 16V 12A/76A DPAK
AOTF20C60P
MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3F
NTLUS3C18PZTBG
MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN