Производитель Номер продукта:
NTZD5110NT1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTZD5110NT1G-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Подробное описание:
Mosfet Array 60V 294mA 250mW Surface Mount SOT-563
Инвентаризация:
21588 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12918378
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTZD5110NT1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
294mA
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
24.5pF @ 20V
Мощность - Макс
250mW
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Комплект устройства поставщика
SOT-563
Базовый номер продукта
NTZD5110
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
ONSONSNTZD5110NT1G
2156-NTZD5110NT1G-OS
NTZD5110NT1GOSTR
NTZD5110NT1G-DG
NTZD5110NT1GOSCT
NTZD5110NT1GOSDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQJ963EP-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
SQJ844AEP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
SQJB68EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
