Производитель Номер продукта:
NVB190N65S3
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NVB190N65S3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 162W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
12848144
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NVB190N65S3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
SuperFET® III
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 430µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1605 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
162W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
NVB190
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
NVB190N65S3F
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
752
Номер части
NVB190N65S3F-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.75
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTNS3190NZT5G
MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA
AOWF11S65
MOSFET N-CH 650V 11A TO262F
AOT210L
MOSFET N-CH 30V 20A/105A TO220
