Производитель Номер продукта:
NVB6412ANT4G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NVB6412ANT4G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK-3
Подробное описание:
N-Channel 100 V 58A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount D2PAK
Инвентаризация:
12928618
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NVB6412ANT4G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
18.2mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3500 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
167W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
NVB641
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SK3547G0L
MOSFET N-CH 50V 100MA SSSMINI3
IPB120P04P4L03ATMA2
MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
AON6358
MOSFET N-CH 30V 42A/85A 8DFN
