Производитель Номер продукта:
NVD3055L170T4G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NVD3055L170T4G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 60 V 9A (Ta) 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) Surface Mount DPAK
Инвентаризация:
12858679
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NVD3055L170T4G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
170mOhm @ 4.5A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
275 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DPAK
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
NVD3055
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
NVD3055L170T4GOSDKR
NVD3055L170T4G-DG
NVD3055L170T4GOSTR
NVD3055L170T4GOSCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTD3055L170-1G
MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
NTS4101PT1
MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3
IPD50N06S409ATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3