Производитель Номер продукта:
NVGS5120PT1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NVGS5120PT1G-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Подробное описание:
P-Channel 60 V 1.8A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Инвентаризация:
89490 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12939007
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NVGS5120PT1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
111mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18.1 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
942 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
600mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-TSOP
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Базовый номер продукта
NVGS5120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
NVGS5120PT1GOSCT
NVGS5120PT1GOSDKR
NVGS5120PT1G-DG
NVGS5120PT1GOSTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NP15P04SLG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 15A TO252
NP82N03PUG-E1-AY
MOSFET N-CH 30V 82A TO263
NTMFS4C01NT1G
MOSFET N-CH 30V 47A/303A 5DFN
