Производитель Номер продукта:
NVMFS5113PLT1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NVMFS5113PLT1G-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Подробное описание:
P-Channel 60 V 10A (Ta), 64A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Инвентаризация:
8321 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12842644
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NVMFS5113PLT1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Ta), 64A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
14mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4400 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN, 5 Leads
Базовый номер продукта
NVMFS5113
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,500
Другие названия
NVMFS5113PLT1GOSDKR
NVMFS5113PLT1G-DG
NVMFS5113PLT1GOSTR
NVMFS5113PLT1GOSCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTR4502PT1G
MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
NTTFS3A08PZTAG
MOSFET P-CH 20V 9A 8WDFN
NVMFS5C404NAFT1G
MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
