Производитель Номер продукта:
NVMFS6H801NWFT1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NVMFS6H801NWFT1G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Подробное описание:
N-Channel 80 V 23A (Ta), 157A (Tc) 3.8W (Ta), 166W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Инвентаризация:
12938879
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NVMFS6H801NWFT1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
23A (Ta), 157A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4120 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 166W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Комплект устройства поставщика
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN, 5 Leads
Базовый номер продукта
NVMFS6
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,500
Другие названия
488-NVMFS6H801NWFT1GDKR
ONSONSNVMFS6H801NWFT1G
NVMFS6H801NWFT1G-DG
2156-NVMFS6H801NWFT1G-OS
488-NVMFS6H801NWFT1GCT
488-NVMFS6H801NWFT1GTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTP6412ANG
MOSFET N-CH 100V 58A TO220AB
NTMFS4C028NT3G
MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN
UPA1803GR-9JG-E1-A
MOSFET N-CH 30V 8-TSSOP
