Производитель Номер продукта:
NVMFS6H818NWFT1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NVMFS6H818NWFT1G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Подробное описание:
N-Channel 80 V 20A (Ta), 123A (Tc) 3.8W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Инвентаризация:
2975 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12844807
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NVMFS6H818NWFT1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Ta), 123A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 190µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3100 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Комплект устройства поставщика
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN, 5 Leads
Базовый номер продукта
NVMFS6
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,500
Другие названия
NVMFS6H818NWFT1G-DG
NVMFS6H818NWFT1GOSTR
NVMFS6H818NWFT1GOSDKR
2156-NVMFS6H818NWFT1G-OS
ONSONSNVMFS6H818NWFT1G
NVMFS6H818NWFT1GOSCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AO4438
MOSFET N-CH 60V 8.2A 8SOIC
AON6532
MOSFET N CH 30V 27A 8DFN
AO3416L
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
