NVMFS6H836NLT1G
Производитель Номер продукта:

NVMFS6H836NLT1G

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

NVMFS6H836NLT1G-DG

Описание:

MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN
Подробное описание:
N-Channel 80 V 16A (Ta), 77A (Tc) 3.7W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Инвентаризация:

1500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12939979
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

NVMFS6H836NLT1G Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16A (Ta), 77A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 95µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1950 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.7W (Ta), 89W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN, 5 Leads
Базовый номер продукта
NVMFS6

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,500
Другие названия
488-NVMFS6H836NLT1GCT
488-NVMFS6H836NLT1GTR
488-NVMFS6H836NLT1GDKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

NTLUS4C16NTBG

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6UDFN

onsemi

NVTFS6H854NLTAG

MOSFET N-CH 80V 10A/41A 8WDFN

onsemi

NTD18N06G

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

panasonic

MTM862270LBF

MOSFET N-CH 20V 2.2A WSSMINI6-F1