Производитель Номер продукта:
NVMJS2D5N06CLTWG
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NVMJS2D5N06CLTWG-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
Подробное описание:
N-Channel 60 V 31A (Ta), 164A (Tc) 3.9W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
Инвентаризация:
12844099
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NVMJS2D5N06CLTWG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
31A (Ta), 164A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 135µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3600 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.9W (Ta), 113W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-LFPAK
Упаковка / Чехол
SOT-1205, 8-LFPAK56
Базовый номер продукта
NVMJS2
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
NVMJS2D5N06CLTWGOS-DG
NVMJS2D5N06CLTWGOSCT
NVMJS2D5N06CLTWGOS
NVMJS2D5N06CLTWGOSTR
NVMJS2D5N06CLTWGOSDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTMFS4707NT3G
MOSFET N-CH 30V 6.9A 5DFN
NTGS3441T1
MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
NTB75N03L09T4G
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK