Производитель Номер продукта:
NVMYS021N06CLTWG
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NVMYS021N06CLTWG-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
Подробное описание:
N-Channel 60 V 9.8A (Ta), 27A (Tc) 3.8W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Инвентаризация:
3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12845283
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NVMYS021N06CLTWG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.8A (Ta), 27A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
21mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 16µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
410 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 28W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
LFPAK4 (5x6)
Упаковка / Чехол
SOT-1023, 4-LFPAK
Базовый номер продукта
NVMYS021
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
NVMYS021N06CLTWGOSDKR
NVMYS021N06CLTWGOS
2832-NVMYS021N06CLTWG
NVMYS021N06CLTWGOSTR
NVMYS021N06CLTWGOSCT
NVMYS021N06CLTWGOS-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTMSD6N303R2G
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
AO3400A
MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L
AOTF5N50
MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3F
