Производитель Номер продукта:
NVMYS025N06CLTWG
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NVMYS025N06CLTWG-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
Подробное описание:
N-Channel 60 V 8.5A (Ta), 21A (Tc) 3.8W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Инвентаризация:
5735 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12844123
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NVMYS025N06CLTWG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.5A (Ta), 21A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
27.5mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 13µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
330 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 24W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
LFPAK4 (5x6)
Упаковка / Чехол
SOT-1023, 4-LFPAK
Базовый номер продукта
NVMYS025
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
NVMYS025N06CLTWGOS
NVMYS025N06CLTWGOSTR
NVMYS025N06CLTWGOSDKR
NVMYS025N06CLTWGOS-DG
NVMYS025N06CLTWGOSCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF614L
MOSFET N-CH 250V 2.7A TO262
NVMFS5C410NLWFAFT3G
MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
NVMFS4C01NT1G
MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
