Производитель Номер продукта:
NVMYS2D1N04CLTWG
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NVMYS2D1N04CLTWG-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 29A/132A LFPAK4
Подробное описание:
N-Channel 40 V 29A (Ta), 132A (Tc) 3.9W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Инвентаризация:
3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12857875
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NVMYS2D1N04CLTWG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
29A (Ta), 132A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3100 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.9W (Ta), 83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
LFPAK4 (5x6)
Упаковка / Чехол
SOT-1023, 4-LFPAK
Базовый номер продукта
NVMYS2
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
488-NVMYS2D1N04CLTWGCT
488-NVMYS2D1N04CLTWGTR
488-NVMYS2D1N04CLTWGDKR
NVMYS2D1N04CLTWG-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NDTL01N60ZT1G
MOSFET N-CH 600V 250MA SOT223
IPI47N10SL26AKSA1
MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
NTD4910N-35G
MOSFET N-CH 30V 8.2A/37A IPAK
