Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
NVMYS6D2N06CLTWG
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NVMYS6D2N06CLTWG-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 4LFPAK
Подробное описание:
N-Channel 60 V 17A (Ta), 71A (Tc) 3.6W (Ta), 61W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Инвентаризация:
20063 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12947962
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NVMYS6D2N06CLTWG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 53µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.6W (Ta), 61W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
LFPAK4 (5x6)
Упаковка / Чехол
SOT-1023, 4-LFPAK
Базовый номер продукта
NVMYS6
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
NVMYS6D2N06CLTWG
HTML Спецификация
NVMYS6D2N06CLTWG-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
488-NVMYS6D2N06CLTWGTR
488-NVMYS6D2N06CLTWGDKR
488-NVMYS6D2N06CLTWGCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTP7D3N15MC
MOSFET N-CH 150V 12.1/101A TO220
STTFS015N10MCL
-
PH0930DLS,115
PH0930 - N-CHANNEL TRENCHMOS LOG
STD12N60DM6
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK