Производитель Номер продукта:
RFP50N06
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
RFP50N06-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 131W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
664 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12848243
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RFP50N06 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
22mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
150 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2020 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
131W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
RFP50
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
RFP50N06-NDR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTTFS4C65NTAG
MOSFET N-CH 30V 27A 8WDFN
FDD6612A
MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A DPAK
FQU6N40CTU_NBEA001
MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK
