Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
2SD19960RA
Product Overview
Производитель:
Panasonic Electronic Components
Номер детали:
2SD19960RA-DG
Описание:
TRANS NPN 20V 0.5A MT-1
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 500 mA 200MHz 600 mW Through Hole MT-1-A1
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12846540
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SD19960RA Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Panasonic
Упаковка
Tape & Box (TB)
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
500 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
20 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
400mV @ 20mA, 500mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
Мощность - Макс
600 mW
Частота - переход
200MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
3-SIP
Комплект устройства поставщика
MT-1-A1
Базовый номер продукта
2SD1996
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
2SD19960RA
HTML Спецификация
2SD19960RA-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
2SD1996RTB-DG
2SD1996RCT
2SD1996RTB
2SD19960RACT
2SD1996RCT-DG
2SD19960RATB-NDR
2SD1996RTA
2SD19960RACT-NDR
2SD1996-R(TA)
2SD19960RATB
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BD13610S
TRANS PNP 45V 1.5A TO126-3
BCX5610H6327XTSA1
TRANS NPN 80V 1A SOT89
BC848CLT1G
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
BD17510STU
TRANS NPN 45V 3A TO126-3