Производитель Номер продукта:
FJ4B01100L1
Product Overview
Производитель:
Panasonic Electronic Components
Номер детали:
FJ4B01100L1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 12V 2.2A XLGA004
Подробное описание:
P-Channel 12 V 2.2A (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount XLGA004-W-0808-RA01
Инвентаризация:
12864803
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FJ4B01100L1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Panasonic
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
74mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 1.2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
459 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
360mW (Ta)
Рабочая температура
-40°C ~ 85°C (TA)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
XLGA004-W-0808-RA01
Упаковка / Чехол
4-XFLGA, CSP
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
P123942CT
P123942TR
P123942DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF840ASTRRPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
FK3906010L
MOSFET N-CH 60V 100MA SSMINI3
IRL2203NPBF
MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB
