Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
MTM761100LBF
Product Overview
Производитель:
Panasonic Electronic Components
Номер детали:
MTM761100LBF-DG
Описание:
MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
Подробное описание:
P-Channel 12 V 4A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount WSMini6-F1-B
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12864009
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
MTM761100LBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Panasonic
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4V
Rds On (макс.) @ id, vgs
42mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 1mA
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1200 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
700mW (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
WSMini6-F1-B
Упаковка / Чехол
6-SMD, Flat Leads
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
MTM761100LBF
Страница продукта производителя
MTM761100LBF View all Specifications
HTML Спецификация
MTM761100LBF-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
MTM761100LBFDKR
MTM761100LBFCT
MTM761100LBFTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
RAL035P01TCR
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
724
Номер части
RAL035P01TCR-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.14
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFIZ48G
MOSFET N-CH 60V 37A TO220-3
RJK0856DPB-00#J5
MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK
IRFB16N50KPBF
MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB
IRF620SPBF
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK