PJD13N10A_L2_00001
Производитель Номер продукта:

PJD13N10A_L2_00001

Product Overview

Производитель:

Panjit International Inc.

Номер детали:

PJD13N10A_L2_00001-DG

Описание:

100V N-CHANNEL MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 100 V 2.9A (Ta), 13A (Tc) 2W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount TO-252

Инвентаризация:

4918 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12972194
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

PJD13N10A_L2_00001 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
PANJIT
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.9A (Ta), 13A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
115mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1413 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta), 41W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
PJD13

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
3757-PJD13N10A_L2_00001TR
3757-PJD13N10A_L2_00001CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
panjit

PJQ5412_R2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJL9438A_R2_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

vishay-siliconix

IRF540PBF-BE3

MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB

panjit

PJC7406_R1_00001

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M