PJD4NA65H_L2_00001
Производитель Номер продукта:

PJD4NA65H_L2_00001

Product Overview

Производитель:

Panjit International Inc.

Номер детали:

PJD4NA65H_L2_00001-DG

Описание:

650V N-CHANNEL MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 650 V 3A (Ta) 34W (Tc) Surface Mount TO-252

Инвентаризация:

12973026
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

PJD4NA65H_L2_00001 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
PANJIT
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.75Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
16.1 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
423 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
34W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
PJD4NA65

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
3757-PJD4NA65H_L2_00001DKR
3757-PJD4NA65H_L2_00001CT
3757-PJD4NA65H_L2_00001TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

ISK024NE2LM5AULA1

TRENCH <= 40V PG-VSON-6

panjit

PJC7409_R1_00001

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJF60R290E_T0_00001

600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO

vishay-siliconix

IRFR9220TRPBF-BE3

MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK