Производитель Номер продукта:
PJD4NA65_R2_00001
Product Overview
Производитель:
Panjit International Inc.
Номер детали:
PJD4NA65_R2_00001-DG
Описание:
650V N-CHANNEL MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 650 V 4A (Ta) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
12971470
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PJD4NA65_R2_00001 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
PANJIT
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.7Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
463 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
PJD4NA65
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
3757-PJD4NA65_R2_00001DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFC5305B
MOSFET 55V 31A DIE
PJS6461_S1_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJW1NA50_R2_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
