Производитель Номер продукта:
PJD60R620E_L2_00001
Product Overview
Производитель:
Panjit International Inc.
Номер детали:
PJD60R620E_L2_00001-DG
Описание:
600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
Подробное описание:
N-Channel 600 V 1.2A (Ta), 7A (Tc) 2W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount TO-252
Инвентаризация:
12970389
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PJD60R620E_L2_00001 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
PANJIT
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.2A (Ta), 7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
620mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
457 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta), 78W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
PJD60
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
3757-PJD60R620E_L2_00001TR
3757-PJD60R620E_L2_00001CT
3757-PJD60R620E_L2_00001DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PJQ1916_R1_00001
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ2460_R1_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ5442-AU_R2_000A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
