Производитель Номер продукта:
PJD80N03_L2_00001
Product Overview
Производитель:
Panjit International Inc.
Номер детали:
PJD80N03_L2_00001-DG
Описание:
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Подробное описание:
N-Channel 30 V 15A (Ta), 80A (Tc) 2W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252
Инвентаризация:
12970154
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PJD80N03_L2_00001 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
PANJIT
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15A (Ta), 80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1323 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta), 55W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
PJD80
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
3757-PJD80N03_L2_00001TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PJD11N06A_L2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PMH850UPEH
MOSFET P-CH 30V 600MA DFN0606-3
PJL9425_R2_00001
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
